IT之家7 月 13 日音讯 供应链媒体Digitimes 今天整理了三大晶圆厂以及 IBM 在 10nm、7nm、5nm、3nm、2nm 的技能指标（晶体管密度）演进比照图。

  科普：晶体管密度即芯片上每平方单位晶体管数，此处比照的是每平方毫米晶体管数量。

  Digitimes 指出，英特尔此前宣称台积电的 7nm 制程与其 10nm 制程适当，从技能视点而言这可能是真的，尽管英特尔还没有真实超越台积电，不过三星的工艺是真的水。

  IT之家了解到，三星曾多次宣告他们带领台积电推出了更先进的工艺技能，但终究未能争取到要害客户。

  关于代工职业来说，比竞争对手先一步推出更先进的工艺节点并不一定意味着商业上的成功。尤其是良率、厂商与供货商的协作伙伴关系以及与客户的一起技能开发的效果在其间也发挥着很重要的效果。

  在 10nm 节点上，台积电完成了每平方毫米 5300 万晶体管密度，而三星的晶体管密度为 5200 万个，但英特尔的 10nm 节点可达 1.06 亿的晶体管密度，这乃至比台积电和三星的 7nm 的 9700 万和 9500 万还要高。

  众所周知，哪怕英特尔技能指标不虚台积电，他终究也没有赢得客户的喜爱，乃至在台积电和三星完成 5nm 之时才线nm 的处理器。

  当然，比照工艺水准只看晶体管密度肯定是片面的。并且现在英特尔的主体问题是量产困难、客户信赖以及实践收益率，究竟三星报价远低于业界水准，性价比更高。

  英特尔的 7nm 技能（估计 2022 年末或 2023 年头）方针是完成每平方毫米挨近 1.8 亿个晶体管的高标准，但这仅仅一个基准，现在看来并不具有商业可行性。

  而台积电好像在技能上抢先三星越来越远，其 5nm 工艺完成了 1.73 亿个晶体管的密度，这与英特尔 7nm 的 1.7 亿方针适当，且超越了三星 3nm 的 1.7 亿的密度自诩。

  3nm 太悠远，此处不再提及，Digitimes 制作了如下比照图，各位小伙伴可权作参阅：

  值得一提的是，台积电也是第一家将 EUV 设备很多装机出产的企业。据称，在全球出产的 EUV 设备中，有一半以上被台积电拿下，而台积电也正藉此出产着全球 70% 以上的芯片，使其牢牢占有着 55% 的代工市场占有率，并吃下了超越 80% 的全球代工收入。

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